模塊
所有分類下結(jié)果
富士IGBT模塊2MBI150VA-060 2MBI600VE-060 2MBI100VA-170
[中介]V系列 高速，低導(dǎo)通壓降Tj=175℃ 電流在IC：80℃標(biāo)稱，用于變頻器
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
宏微IGBT模塊MMG200D120B6TN MMG50W120XB6TN MMG300D120B6TN
[中介]適用于通用變頻器行業(yè)
[全國 整流器/整流設(shè)備] 福建/泉州 福建省泉州市
宏微IGBT模塊MMG300D170B6EN MMG200D170B6EN MMG150D170B6EN
[中介]適用于高壓變頻行業(yè)
[全國 整流器/整流設(shè)備] 福建/泉州 福建省泉州市
富士IGBT模塊2MBI150U4A-120 2MBI150U4H-120 6MBI150U4B-170
[中介]6MBI100U4B-170 6單元，100A/1700V
6MBI150U4B-170 6單元，150A/1700V
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
富士IGBT模塊2MBI200S-120 2MBI100PC-140 2MBI300P-140
[中介]1MBI300S-120 1單元，300A/1200V
1MBI400S-120 1單元，400A/1200V
2MBI75P-140 2單元，75A/1400V
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富士IGBT模塊2MBI300U2B-060 2MBI600U2E-060 2MBI200N-060
[中介]N系列和U2系列（高速，低導(dǎo)通壓降）
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三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)的第6代IGBT 寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性 最優(yōu)的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結(jié)溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環(huán)能力（DTc）內(nèi)部硅片分布均勻，Rth(j-
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三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
[中介]采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術(shù)有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結(jié)構(gòu)內(nèi)部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強具有競爭力的性價比有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù) LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調(diào)整底板和
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