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所有分類下結果三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯使用額定電流定義比市場上同類產品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調整底板和
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三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
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三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術，正向導通壓降低硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺有條件接受客戶定制
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西門康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
[中介]
產 品 型 號 參 數 說 明
SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V
SKM200GB176D 2單元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元，400A
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西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V
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西門康IGBT模塊SKM50GAL12T4 SKM100GAL12T4 SKM150GAR12T4 S
[中介]IGBT模塊 T4系列
頻率5~20KHZ
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西門康IGBT模塊5SHX14H4510 5SHX26L4510 5SHX08F4510 5SHY35
[中介]工作范圍：350~6100A，1600~8500V
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